ME2355AN Todos los transistores

 

ME2355AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME2355AN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.102 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3
 

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ME2355AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  matsuki electric
 me2355an me2355an-g.pdf pdf_icon

ME2355AN

Preliminary-ME2355AN/ME2355AN-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME2355AN is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)102m@VGS=-4.5Vfield effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)132m@VGS=-2.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)158m@VGS=-1.8Vminimize on-

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History: AP65SL130DP | BL13N25-U | NP90N04PUH | NCE3N150D | NP90N04VDK | HRP80N08K | AFN6011S

 

 
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