ME2606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME2606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME2606

ME2606 Datasheet (PDF)

..1. Size:1289K matsuki electric
me2606 me2606-g.pdf

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9.1. Size:456K matsuki electric
me2604 me2604-g.pdf

ME2604/ME2604-GN - Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.7@VGS=10V The ME2604 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)1.9@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially t

9.2. Size:1226K matsuki electric
me2602 me2602-g.pdf

ME2602/ME2602-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The ME2602 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)115m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta

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Liste

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