ME3443 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME3443

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de ME3443 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ME3443 datasheet

 ..1. Size:761K  matsuki electric
 me3443 me3443-g.pdf pdf_icon

ME3443

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m @VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m @VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

 9.1. Size:1549K  matsuki electric
 me3449d me3449d-g.pdf pdf_icon

ME3443

ME3449D/ME3449D-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3449D is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 60m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 92m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for

Otros transistores... ME2614, ME2614-G, ME2620-G, ME3205F, ME3205F-G, ME3205H-G, ME3424D, ME3424D-G, IRF9640, ME3443-G, ME3449D, ME3449D-G, ME3483, ME3483-G, ME3920D, ME3920D-G, ME3920-G