ME3449D Todos los transistores

 

ME3449D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME3449D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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ME3449D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1549K  matsuki electric
 me3449d me3449d-g.pdf pdf_icon

ME3449D

ME3449D/ME3449D-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3449D is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)92m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for

 9.1. Size:761K  matsuki electric
 me3443 me3443-g.pdf pdf_icon

ME3449D

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m@VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

Otros transistores... ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , ME3205H-G , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , EMB04N03H , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G , ME3920D , ME3920D-G , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G .

 

 
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