ME3449D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME3449D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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ME3449D datasheet

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ME3449D

ME3449D/ME3449D-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET, ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3449D is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 60m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 92m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for

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ME3449D

ME3443/ME3443-G P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES -20V/-4.7A,RDS(ON)=65m @VGS=-4.5V The ME3443 is the P-Channel logic enhancement mode power field -20V/-3.7A,RDS(ON)=85m @VGS=-2.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density proc

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