ME7632-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME7632-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 113 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 81.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 58.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 583 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00185 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME7632-G

ME7632-G Datasheet (PDF)

..1. Size:1603K matsuki electric
me7632 me7632-g.pdf

Preliminary-ME7632/ME7632-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME7632 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design f

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me7632s me7632s-g.pdf

ME7632S/ME7632S-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7632S is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

9.1. Size:988K matsuki electric
me7636 me7636-g.pdf

ME7636/ME7636-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.5m@VGS=10V The ME7636 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.3m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is esp

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Liste

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