ME7705 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME7705

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 49.9 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: POWERDFN5X6

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ME7705 datasheet

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ME7705

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

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ME7705

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

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