MEE2348 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEE2348
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.14 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15.5 nC
Tiempo de subida (tr): 24.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 119 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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MEE2348 Datasheet (PDF)
..1. Size:640K matsuki electric
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MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)130 m@VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)165 m@VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail
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