MEE2348 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEE2348
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MEE2348 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MEE2348 datasheet
mee2348 mee2348-g.pdf
MEE2348/MEE2348-G N-Channel 100 V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 130 m @VGS=10V The MEE2348-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 165 m @VGS=4.5V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tail
Otros transistores... ME8117-G , ME8205B , ME8205B-G , ME9435AS , ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , IRFB4110 , MEE2348-G , MEE3710T , MEE3712F , MEE3712H , MEE3712T , MEE3716F , MEE3716T , MEE3718T .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611