MS5N100FE Todos los transistores

 

MS5N100FE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS5N100FE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

MS5N100FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3619K  1
ms5n100 ms5n100s ms5n100ft ms5n100fe ms5n100fd.pdf pdf_icon

MS5N100FE

MS5N100/S/FT/FE/FDN-channel 1000V 3.5 - 5AGeneral featuresType V R IDSS(@Tjmax) DS(on) DMS5N100 1000 V

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 4N65KG-T60-K | IRFR120TR | MRF5003 | AONS36316 | STP5N62K3 | RQK0608BQDQS

 

 
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