HCA90R450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HCA90R450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 114 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 29 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22.1 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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HCA90R450 Datasheet (PDF)

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hca90r450.pdf

Apr 2023HCA90R450900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 10.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swit

8.1. Size:391K semihow
hca90r800.pdf

Apr. 2023HCA90R800900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 17.4 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swi

8.2. Size:390K semihow
hca90r300.pdf

Apr 2023HCA90R300900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 14.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.3 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 43 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Switc

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