HCA90R800 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCA90R800
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO247
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HCA90R800 datasheet
hca90r800.pdf
Apr. 2023 HCA90R800 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 17.4 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swi
hca90r450.pdf
Apr 2023 HCA90R450 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 10.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 29 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit
hca90r300.pdf
Apr 2023 HCA90R300 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 14.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.3 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 43 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Switc
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History: AOW25S65 | WMQ20DN06TS | SFG10R10BF
History: AOW25S65 | WMQ20DN06TS | SFG10R10BF
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