HCF65R550 Todos los transistores

 

HCF65R550 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HCF65R550

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: 8DFN5X6

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HCF65R550 datasheet

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HCF65R550

April 2020 HCF65R550 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 6.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 16 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL Sw

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HCF65R550

April 2020 HCF65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 11.2 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.35 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit 8DFN 5x6 SYMBOL

Otros transistores... HCD70R910 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , IRFZ46N , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 .

History: BSZ15DC02KDH | AUIRF7769L2TR | SFN423P | SFG100N08PF | 2SK1293

 

 

 

 

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