HCF70R360 Todos los transistores

 

HCF70R360 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCF70R360
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: 8DFN5X6
 

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HCF70R360 Datasheet (PDF)

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HCF70R360

April 2020HCF70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 10.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.39 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL

 8.1. Size:454K  semihow
 hcf70r600.pdf pdf_icon

HCF70R360

April 2020HCF70R600700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.65 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL S

 8.2. Size:454K  semihow
 hcf70r910.pdf pdf_icon

HCF70R360

April 2020HCF70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 4.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.96 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal Circuit8DFN 5x6 SYMBOL

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History: TK15H50C | IRLML2060TRPBF | IRL3715ZLPBF | MMBFJ271 | PTW69N30 | IPA045N10N3 | KIA3400

 

 
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