HCFL70R180 Todos los transistores

 

HCFL70R180 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCFL70R180
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 171 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.198 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8
 

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HCFL70R180 Datasheet (PDF)

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HCFL70R180

May 2020HCFL70R180700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 19.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.198 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

 7.1. Size:413K  semihow
 hcfl70r360.pdf pdf_icon

HCFL70R180

May 2020HCFL70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 11.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.396 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

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History: GSM3460 | IPD65R420CFDA | B25N10 | NCEP6090 | NCE01P03S | SSM9926TGO | SWD4N65K

 

 
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