HCFL70R180 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCFL70R180
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 171 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.198 Ohm
Encapsulados: DFN8X8
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HCFL70R180 datasheet
hcfl70r180.pdf
May 2020 HCFL70R180 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 19.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.198 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Sw
hcfl70r360.pdf
May 2020 HCFL70R360 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 11.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.396 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Sw
Otros transistores... HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , IRFP064N , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 .
History: ZVP4525Z
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