HCU70R600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HCU70R600
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCU70R600
HCU70R600 Datasheet (PDF)
hcu70r600.pdf
June 2019HCU70R600700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Switch
hcu70r910.pdf
April 2020HCU70R910700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw
hcu70r710.pdf
April 2020HCU70R710700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 6.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.71 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 14 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Swit
hcu70r360.pdf
August 2020HCU70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 11.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.36 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitI-PAK SYMBOL Sw
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