HFU1N60F Todos los transistores

 

HFU1N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFU1N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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HFU1N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  semihow
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HFU1N60F

Oct 2016HFU1N60F / HFD1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantHFU1N60F HFD1N60FSymbolTO-251 TO-252DSSDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless

 7.1. Size:244K  vishay
irfr1n60a irfu1n60a sihfr1n60a sihfu1n60a.pdf pdf_icon

HFU1N60F

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

 7.2. Size:269K  vishay
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HFU1N60F

IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 7.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 14RequirementQgs (nC) 2.7 Improved Gate, Avalanche and DynamicQgd (nC) 8.1dV/dt RuggednessConfiguration Sing

 7.3. Size:209K  shantou-huashan
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HFU1N60F

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFU1N60 APPLICATIONSL TO-251 high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power DissipationTc=25

Otros transistores... HFS730S , HFS7N80A , HFS830F , HFS8N60UA , HFS8N65JS , HFS8N65SA , HFS9N90A , HFT1N60F , IRF740 , HFU1N60S , HFU1N60SA , HFU2N60F , HFU2N60S , HFU2N60U , HFU4N50 , HFU5N40 , HFU5N50S .

History: IRFBF20 | STD3NA50T4

 

 
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