HRLD150N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLD150N10K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de HRLD150N10K MOSFET
HRLD150N10K Datasheet (PDF)
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Mar 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ =13 HRLD150N10K / HRLU150N10K ID = 70 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD150N10K HRLU150N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O
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Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ = HRLD1B8N10K / HRLU1B8N10K ID = 2.7 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD1B8N10K HRLU1B8N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 11.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R
hrld125n06k hrlu125n06k.pdf

Oct 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ = 10 HRLD125N06K / HRLU125N06K ID = 70 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD125N06K HRU125N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
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History: NCE50NF130D | PV563BA | IRHM7230 | IPS60R1K0CE | FTK4822
History: NCE50NF130D | PV563BA | IRHM7230 | IPS60R1K0CE | FTK4822



Liste
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