HRLU1B8N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRLU1B8N10K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: IPAK

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HRLU1B8N10K datasheet

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HRLU1B8N10K

Sep 2015 BVDSS = 100 V RDS(on) typ = HRLD1B8N10K / HRLU1B8N10K ID = 2.7 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD1B8N10K HRLU1B8N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 11.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R

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HRLU1B8N10K

Oct 2015 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 10 HRLD125N06K / HRLU125N06K ID = 70 A 60V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRD125N06K HRU125N06K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

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HRLU1B8N10K

Mar 2016 BVDSS = 100 V RDS(on) typ =13 HRLD150N10K / HRLU150N10K ID = 70 A 100V N-Channel Trench MOSFET D-PAK I-PAK FEATURES 2 1 Originative New Design 1 3 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology HRLD150N10K HRLU150N10K Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

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