HRLU1B8N10K Todos los transistores

 

HRLU1B8N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRLU1B8N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de HRLU1B8N10K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HRLU1B8N10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  semihow
 hrld1b8n10k hrlu1b8n10k.pdf pdf_icon

HRLU1B8N10K

Sep 2015BVDSS = 100 VRDS(on) typ = HRLD1B8N10K / HRLU1B8N10K ID = 2.7 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD1B8N10K HRLU1B8N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 11.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R

 9.1. Size:339K  semihow
 hrld125n06k hrlu125n06k.pdf pdf_icon

HRLU1B8N10K

Oct 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ = 10 HRLD125N06K / HRLU125N06K ID = 70 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRD125N06K HRU125N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 50 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

 9.2. Size:313K  semihow
 hrld150n10k hrlu150n10k.pdf pdf_icon

HRLU1B8N10K

Mar 2016BVDSS = 100 VRDS(on) typ =13 HRLD150N10K / HRLU150N10K ID = 70 A100V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD150N10K HRLU150N10K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(O

Otros transistores... HRLP370N10K , HRLP40N04K , HRLP55N03K , HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , STF13NM60N , HRLU370N10K , HRLU55N03K , HRLU80N06K , HRLW250N10K , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K .

History: OSG60R900PF | IPP032N06N3G | OSG60R900AF | STP20NF20 | CEU14G04 | SWHA80N06V1 | HRLD40N04K

 

 
Back to Top

 


 
.