HRLU80N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRLU80N06K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de HRLU80N06K MOSFET
HRLU80N06K Datasheet (PDF)
hrld80n06k hrlu80n06k.pdf
June 2015BVDSS = 60 VRDS(on) typ HRLD80N06K / HRLU80N06K ID = 80 A60V N-Channel Trench MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHRLD80N06K HRLU80N06K Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 100 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)
Otros transistores... HRLP72N06 , HRLP80N06K , HRLT1B0N10K , HRLU125N06K , HRLU150N10K , HRLU1B8N10K , HRLU370N10K , HRLU55N03K , 8N60 , HRLW250N10K , HRP100N08K , HRP130N06K , HRP140N06K , HRP180N10K , HRP30N04K , HRP33N04K , HRP35N04K .
History: OSG60R900PF | STB26NM60N | IPP032N06N3G | HRLD40N04K | STP120NF04 | STP20NF20 | HRLU55N03K
History: OSG60R900PF | STB26NM60N | IPP032N06N3G | HRLD40N04K | STP120NF04 | STP20NF20 | HRLU55N03K
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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