HRP45N06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HRP45N06K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRP45N06K

HRP45N06K Datasheet (PDF)

..1. Size:1057K semihow
hrp45n06k.pdf

December 2014 BVDSS = 60 V RDS(on) typ = 3.7m HRP45N06K ID = 150 A 60V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 120 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3.7 m (Typ.

7.1. Size:903K semihow
hrp45n08k.pdf

December 2014 BVDSS = 80 V RDS(on) typ = 3.6m HRP45N08K ID = 150 A 80V N-Channel Trench MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 155nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 3.6 m (Typ.)

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History: IPB12CN10NG

Liste

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