OSG60R580DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG60R580DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de OSG60R580DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG60R580DF datasheet

 ..1. Size:1082K  oriental semi
 osg60r580df.pdf pdf_icon

OSG60R580DF

 4.1. Size:937K  oriental semi
 osg60r580dtf.pdf pdf_icon

OSG60R580DF

 4.2. Size:956K  oriental semi
 osg60r580dt3f.pdf pdf_icon

OSG60R580DF

 5.1. Size:1016K  oriental semi
 osg60r580af.pdf pdf_icon

OSG60R580DF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG60R360FSF, OSG60R380AF, OSG60R380DF, OSG60R380DTF, OSG60R380FF, OSG60R380IF, OSG60R380PF, OSG60R580AF, IRLB3034, OSG60R580DT3F, OSG60R580DTF, OSG60R580FF, OSG60R580PF, OSG60R600DMZF, OSG60R670AF, OSG60R670DF, OSG60R670FF