OSG60R900FF Todos los transistores

 

OSG60R900FF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG60R900FF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG60R900FF

 

OSG60R900FF Datasheet (PDF)

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