OSG65R070HT3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R070HT3F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 241 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
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OSG65R070HT3F Datasheet (PDF)
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History: BUK139-50DL | OSG65R070PT3F | H7N0312AB | DMN32D2LV
History: BUK139-50DL | OSG65R070PT3F | H7N0312AB | DMN32D2LV



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