STM4952 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STM4952
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.7 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 181 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM4952

STM4952 Datasheet (PDF)

..1. Size:655K samhop
stm4952.pdf

S T M4952S amHop Microelectronics C orp.May,24 2005 ver1.1Dual P-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) MAXR ugged and reliable.50 @ V G S = -4.5V-20V -5.2AS urface Mount Package.80 @ V G S = -2.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S 1 G 1 S 2 G

8.1. Size:124K samhop
stm4953.pdf

GreenProductS TM4953S amHop Microelectronics C orp.J ul 05 2005 ver 1.2Dual P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.55 @ VG S = -10V-30V -4.5AS urface Mount Package.85 @ VG S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S

9.1. Size:890K samhop
stm4973.pdf

S T M4973 S E P .8 2004S amHop Microelectronics C orp.Dual P-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) MaxR ugged and reliable.35 @ V G S = -10V-30V -6AS urface Mount Package.50 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S 1 G 1 S 2 G 2ABS

9.2. Size:863K cn vbsemi
stm4973.pdf

STM4973www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

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