OSG65R260FSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R260FSF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de OSG65R260FSF MOSFET
OSG65R260FSF Datasheet (PDF)
osg65r260fsf nb.pdf
OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB
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History: HY1908P | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | VBP1104N | AM6411P
History: HY1908P | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | VBP1104N | AM6411P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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