OSG65R260FSF Todos los transistores

 

OSG65R260FSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG65R260FSF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

OSG65R260FSF Datasheet (PDF)

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OSG65R260FSF

OSG65R260FSF_NB_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger OSG65R260FSF_NB , Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET General Description OSG65R260FSF_NB

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OSG65R260FSF

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History: JCS20N65WH | S80N08R | 3N159 | AP2312GN | AOB190A60L | SWK15N06V | HTD080P03

 

 
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