OSG65R360JEF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R360JEF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8X8
Búsqueda de reemplazo de OSG65R360JEF MOSFET
OSG65R360JEF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R2KDF , OSG65R2KFF , OSG65R2KFSF , OSG65R2KPF , OSG65R340DZF , OSG65R340FZF , OSG65R360DEF , OSG65R360GEF , IRF840 , OSG65R360PEF , OSG65R380AF , OSG65R380DF , OSG65R380DSF , OSG65R380DTF , OSG65R380FEF-NB , OSG65R380FF , OSG65R380FSEF .
History: STP9NK60ZD | OSG55R092HF | OSG65R380AF
History: STP9NK60ZD | OSG55R092HF | OSG65R380AF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent

