OSG65R380AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R380AF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de OSG65R380AF MOSFET
OSG65R380AF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R2KFSF , OSG65R2KPF , OSG65R340DZF , OSG65R340FZF , OSG65R360DEF , OSG65R360GEF , OSG65R360JEF , OSG65R360PEF , IRF540N , OSG65R380DF , OSG65R380DSF , OSG65R380DTF , OSG65R380FEF-NB , OSG65R380FF , OSG65R380FSEF , OSG65R380FSF , OSG65R380FSF-NB .
History: AP60WN4K5I | HFP5N60S | PMV250EPEA | SWN8N80K | HFP5N60U | MCPF04N60 | CS4N80U
History: AP60WN4K5I | HFP5N60S | PMV250EPEA | SWN8N80K | HFP5N60U | MCPF04N60 | CS4N80U



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015