OSG65R580DTF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R580DTF
Código: OSG65R580DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 17.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
OSG65R580DTF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R460AZF , OSG65R460DZ , OSG65R460FZF , OSG65R460FZF-NB , OSG65R460PZF , OSG65R580AF , OSG65R580DF , OSG65R580DT3F , IRF1010E , OSG65R580FEF , OSG65R580FEF-NB , OSG65R580FF , OSG65R580FSF , OSG65R580FT3F , OSG65R580FTF , OSG65R580IF , OSG65R580KF .



Liste
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