OSG65R580DTF Todos los transistores

 

OSG65R580DTF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG65R580DTF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R580DTF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R580DTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:901K  oriental semi
osg65r580dtf.pdf pdf_icon

OSG65R580DTF

 3.1. Size:954K  oriental semi
osg65r580dt3f.pdf pdf_icon

OSG65R580DTF

 4.1. Size:1091K  oriental semi
osg65r580df.pdf pdf_icon

OSG65R580DTF

 4.2. Size:1158K  oriental semi
osg65r580def.pdf pdf_icon

OSG65R580DTF

Otros transistores... OSG65R460AZF , OSG65R460DZ , OSG65R460FZF , OSG65R460FZF-NB , OSG65R460PZF , OSG65R580AF , OSG65R580DF , OSG65R580DT3F , IRF1010E , OSG65R580FEF , OSG65R580FEF-NB , OSG65R580FF , OSG65R580FSF , OSG65R580FT3F , OSG65R580FTF , OSG65R580IF , OSG65R580KF .

History: SVF4N70F | OSG65R580FT3F | 2SK3872-01SJ | TT8M3 | GSM9435S | ELM14411AA | AO4720

 

 
Back to Top

 


 
.