OSG65R760DF Datasheet. Equivalente

OSG65R760DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R760DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm

Encapsulados: TO252

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros