OSG70R1KAF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG70R1KAF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26.6 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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OSG70R1KAF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R900FF , OSG65R900FTF , OSG65R900GTF , OSG65R900PF , OSG70R1K4AF , OSG70R1K4DF , OSG70R1K4FF , OSG70R1K4PF , IRFB31N20D , OSG70R1KDF , OSG70R1KFF , OSG70R1KPF , OSG70R280KF , OSG70R290DF , OSG70R2K6AF , OSG70R2K6DF , OSG70R2K6FF .
History: AP95T10AGP | VN10K-TO18 | NVMFS4C01N | RJK03M5DNS | IPB65R125C7 | TK31A60W | 60N06G-TF3-T
History: AP95T10AGP | VN10K-TO18 | NVMFS4C01N | RJK03M5DNS | IPB65R125C7 | TK31A60W | 60N06G-TF3-T



Liste
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