OSG80R1K4PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: OSG80R1K4PF
   Código: OSG80R1K4P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 37 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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