SFG08R16DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG08R16DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de SFG08R16DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG08R16DF datasheet

 ..1. Size:852K  oriental semi
sfg08r16df.pdf pdf_icon

SFG08R16DF

 6.1. Size:888K  oriental semi
sfg08r16bf.pdf pdf_icon

SFG08R16DF

 8.1. Size:1066K  oriental semi
sfg08r08gf.pdf pdf_icon

SFG08R16DF

 8.2. Size:1041K  oriental semi
sfg08r08pf.pdf pdf_icon

SFG08R16DF

Otros transistores... OSS65R340FF, OSS65R340JF, OSS70R350DF, SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF, SFG08R08PF, SFG08R16BF, 20N50, SFG08S06DF, SFG08S06GF, SFG08S10BF, SFG08S10DF, SFG100N08GF, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF