SFG10R05PF Todos los transistores

 

SFG10R05PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG10R05PF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 923.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFG10R05PF

 

SFG10R05PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  oriental semi
sfg10r05pf.pdf

SFG10R05PF
SFG10R05PF

 6.1. Size:810K  oriental semi
sfg10r05if.pdf

SFG10R05PF
SFG10R05PF

 6.2. Size:833K  oriental semi
sfg10r05ff.pdf

SFG10R05PF
SFG10R05PF

 6.3. Size:861K  oriental semi
sfg10r05kf.pdf

SFG10R05PF
SFG10R05PF

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFN70N60Q2

 

 
Back to Top

 


History: IXFN70N60Q2

SFG10R05PF
  SFG10R05PF
  SFG10R05PF
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top