SFG10R08BF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG10R08BF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SFG10R08BF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG10R08BF datasheet

 ..1. Size:859K  oriental semi
sfg10r08bf.pdf pdf_icon

SFG10R08BF

 6.1. Size:829K  oriental semi
sfg10r08pf.pdf pdf_icon

SFG10R08BF

 6.2. Size:784K  oriental semi
sfg10r08gf.pdf pdf_icon

SFG10R08BF

 7.1. Size:832K  oriental semi
sfg10r05pf.pdf pdf_icon

SFG10R08BF

Otros transistores... SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF, SFG10R05IF, SFG10R05KF, SFG10R05PF, IRFZ46N, SFG10R08GF, SFG10R08PF, SFG10R10AF, SFG10R10BF, SFG10R10DF, SFG10R10FF, SFG10R10GF, SFG10R10IF