SFG10R10GF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFG10R10GF 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 361 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6
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SFG10R10GF datasheet
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History: HCS80R1K4ST | HCS90R1K0S
🌐 : EN ES РУ
Liste
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