SFG10R75BCF Todos los transistores

 

SFG10R75BCF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG10R75BCF
   Código: SFG10R75BC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFG10R75BCF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:822K  oriental semi
sfg10r75bcf.pdf pdf_icon

SFG10R75BCF

 6.1. Size:962K  oriental semi
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 8.1. Size:891K  oriental semi
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 8.2. Size:952K  oriental semi
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SFG10R75BCF

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History: IXFN44N50Q | SML4065GN

 

 
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