SFG10S12BF Todos los transistores

 

SFG10S12BF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFG10S12BF
   Código: SFG10S12B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 353 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFG10S12BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:921K  oriental semi
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SFG10S12BF

 6.1. Size:868K  oriental semi
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 7.1. Size:866K  oriental semi
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 7.2. Size:826K  oriental semi
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SFG10S12BF

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 7N80G-TQ2-R | 2N70Z | IXTA180N085T7 | NVD5484NL | HGD155N15S

 

 
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