SFS04R02DF Todos los transistores

 

SFS04R02DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFS04R02DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2537 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SFS04R02DF Datasheet (PDF)

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SFS04R02DF

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History: KP809V | 1H10 | WMM07N60C4 | RF4C050AP | SSF6025 | IRFB4310ZPBF

 

 
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