AP3910GD Todos los transistores

 

AP3910GD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP3910GD
   Código: 3910GD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 225 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L

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AP3910GD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2776K  1
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