ASDM40N52E-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ASDM40N52E-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ASDM40N52E-R

ASDM40N52E-R Datasheet (PDF)

..1. Size:436K 1
asdm40n52e-r.pdf

ASDM40N5240V N-Channel MOSFETGeneral Features Product Summary Low On-ResistanceV 40 VDSS 100% avalanche tested4.2 R mDS(ON)-Typ Fast Switching SpeedI 52 A Excellent package for good heat dissipation DApplication DC/DC ConvertersPin1 On board power for server Synchronous rectificationAbsolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise s

5.1. Size:436K ascend
asdm40n52.pdf

7.1. Size:461K 1
asdm40n80q.pdf

ASDM40N80Q40V N-CHANNEL MOSFETFeaturesProduct Summary Low On-ResistanceV 40 V DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested R 3.5 mDS(ON)-Typ@VGS=10V Lead Free and Green DevicesI 80 A DAvailable (RoHS Compliant)Application DC/DC Converters On board power for server Synchronous rectificationtop view DFN5x6-8Absolute Maximum Ratings

7.2. Size:461K ascend
asdm40n80q.pdf

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Liste

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