DMT10H015LPS-13 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMT10H015LPS-13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMT10H015LPS-13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: POWERDI5060-8

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DMT10H015LPS-13 datasheet

0.1. Size:436K 1
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Green DMT10H015LPS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 44A 16m @ VGS = 10V Low Input Capacitance 100V Fast Switching Speed 41A 18m @ VG

2.1. Size:436K diodes
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4.1. Size:445K diodes
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DMT10H015LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production BVDSS RDS(ON) Max TA = +25 C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 8.3A 16m @ VGS = 10V 100V Low Input Capacitance 7.9A 18m @ VGS = 6V Fast Switching Speed Tot

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