DMT10H015LPS-13 Todos los transistores

 

DMT10H015LPS-13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMT10H015LPS-13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 261 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI5060-8
 

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DMT10H015LPS-13 Datasheet (PDF)

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DMT10H015LPS-13

Green DMT10H015LPS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 44A 16m @ VGS = 10V Low Input Capacitance 100V Fast Switching Speed 41A 18m @ VG

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DMT10H015LPS-13

Green DMT10H015LPS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 44A 16m @ VGS = 10V Low Input Capacitance 100V Fast Switching Speed 41A 18m @ VG

 4.1. Size:445K  diodes
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DMT10H015LPS-13

DMT10H015LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 8.3A 16m @ VGS = 10V 100V Low Input Capacitance 7.9A 18m @ VGS = 6V Fast Switching Speed Tot

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History: IRFS142 | AMA930N | SST4416 | SHD239602 | SIF1N65C | BRD100N03 | AOD2N100

 

 
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