DMT32M5LPS-13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMT32M5LPS-13
   Código: T32M5LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI5060-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13 Datasheet (PDF)

..1. Size:361K 1
dmt32m5lps-13.pdf

DMT32M5LPS Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications

4.1. Size:361K diodes
dmt32m5lps.pdf

DMT32M5LPS Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications

6.1. Size:284K diodes
dmt32m5lfg.pdf

DMT32M5LFG Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max Excellent Qgd RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converts Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 1.7m @ VGS = 10V

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: