IRFH8311TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH8311TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 169 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1065 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRFH8311TRPBF datasheet

 ..1. Size:259K  1
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IRFH8311TRPBF

IRFH8311PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 6.1. Size:310K  international rectifier
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IRFH8311TRPBF

IRFH8311PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

 6.2. Size:259K  international rectifier
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IRFH8311TRPBF

IRFH8311PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

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IRFH8311TRPBF

IRFH8318PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (

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