IRFHM792TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFHM792TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm

Encapsulados: PQFN3.3X3.3

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IRFHM792TRPBF datasheet

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IRFHM792TRPBF

IRFHM792PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max TOP VIEW V 20 D RDS(on) max D D D 195 m 8 7 6 5 (@VGS = 10V) G S G S D Qg typ 4.2 nC D D D D D ID 3.4 A 1 2 3 4 (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN Dual 3.3X3.3 mm S G S G Applications DC-DC Primary Switch 48V Battery Monitoring Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

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IRFHM792TRPBF

PD - 96368A IRFHM792TRPbF IRFHM792TR2PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max TOP VIEW V 20 D RDS(on) max D D D 195 m 8 7 6 5 (@VGS = 10V) G S G S D Qg typ 4.2 nC D D D D D ID 3.4 A 1 2 3 4 (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN Dual 3.3X3.3 mm S G S G Applications DC-DC Primary Switch 48V Battery Monitoring Features and Benefits Features Benefits Low R

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IRFHM792TRPBF

IRFHM792PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max TOP VIEW V 20 D RDS(on) max D D D 195 m 8 7 6 5 (@VGS = 10V) G S G S D Qg typ 4.2 nC D D D D D ID 3.4 A 1 2 3 4 (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN Dual 3.3X3.3 mm S G S G Applications DC-DC Primary Switch 48V Battery Monitoring Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

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IRFHM792TRPBF

FastIRFET IRFHM7194TRPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 16.4 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 13 nC Rg (typical) 2.0 ID 34 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Features Benefits Low RDSon (

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