IRLHM630TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLHM630TRPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Encapsulados: PQFN3.3X3.3
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IRLHM630TRPBF datasheet
irlhm630trpbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m (@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 A PQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irlhm630pbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m (@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 A PQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irlhm620pbf.pdf
PD - 97565A IRLHM620PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V VGS max 12 V D 5 4 G RDS(on) max 2.5 m D 6 3 S (@VGS = 4.5V) D 7 2 S RDS(on) max D 8 1 S 3.5 m (@VGS = 2.5V) 3.3mm x 3.3mm PQFN Qg (typical) 52 nC ID 40 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features and Benefi
Otros transistores... IRFH7934TRPBF, IRFH8311TRPBF, IRFH8318TRPBF, IRFHM3911TRPBF, IRFHM792TRPBF, IRFHM830TRPBF, IRFHM8329TRPBF, IRLH6224TRPBF, IRF540N, JMSL0302AG, JMSL0302AU, JMSL0406AG, JMSL0606AG, JMTG040N03A, JMTG3002B, JMTQ35N06A, JMTQ55P02A
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