JSM6435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JSM6435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JSM6435 MOSFET
JSM6435 Datasheet (PDF)
jsm6435.pdf

JSM6435P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V P-Channel MOSFETPDFN5X6-8LV(BR)DSS RDS(on)MAX IDTop View Bottom View0.012@-10.V-30V-34 A0.020@ -5.0VPIN1General FEATURETower MOSFET Equivalent CircuitMarkingLead free product is acquired D D D DDSurface mount package6435GAPPLICATIONSS S S G
Otros transistores... JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , JMTQ55P02A , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , P55NF06 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 , JSM7409B , JSM7410 , JSM7788 , KCY3008A , KCY3310A .
History: IRL520LPBF | IPI80N06S2-08 | TMP4N80 | SIRA18ADP | SSF60R260S2 | SISA96DN | STB45NF06
History: IRL520LPBF | IPI80N06S2-08 | TMP4N80 | SIRA18ADP | SSF60R260S2 | SISA96DN | STB45NF06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
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