JSM7410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JSM7410
Código: 7410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JSM7410
JSM7410 Datasheet (PDF)
jsm7410.pdf
JSM7410N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS (V) = 30VID=24ARDS(ON)
jsm7409b.pdf
JSM7409BPlastic-Encapsulate MOSFETSPDFN3X3-8LDescription The JSM7409B uses advanced trench technology to 18provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation 2736with gate voltages as low as 4.5V. 45General Features Equivalent Cir cuit VDS = -30V,ID = -25A D RDS(ON)
jsm7409.pdf
JSM7409P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET PDFN3X3-8L30V P-Channel MOSFET18PRODUCT SUMMARY27VDS-30V36 ID (at VGS=-10V) -32A45 RDS(ON) (at VGS=-10V)
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History: IXFR20N120P
History: IXFR20N120P
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