KCY3310A Todos los transistores

 

KCY3310A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KCY3310A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET KCY3310A

 

KCY3310A Datasheet (PDF)

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kcy3310a.pdf

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100V 5mN-CHANNEL MOSFETKCX3310AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Uses advanced SGT technology Excellent stability and uniformity Fast switching and soft recovery2. Features Power switching application Low On-Resistance (typ.) RDS(on)=5.0m Hard switched and

 9.1. Size:356K  1
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95A30VN-CHANNEL MOSFETKCX3303SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =2.2mtyp.) @ V =10VDS(on) GS Advanced Trench Technology Low Gate Charge High Current Capability RoHS and Halogen-Free Compliant2.Description Power Management in Desktop Computer DC/DC Converters3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Dr

 9.2. Size:356K  kia
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KCY3310A
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95A30VN-CHANNEL MOSFETKCX3303SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =2.2mtyp.) @ V =10VDS(on) GS Advanced Trench Technology Low Gate Charge High Current Capability RoHS and Halogen-Free Compliant2.Description Power Management in Desktop Computer DC/DC Converters3.SymbolPin Function4 Gate5,6,7,8 Dr

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