NTMFS5C404NLTT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS5C404NLTT1G
   Código: 5C404L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 370 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 181 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4538 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00067 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS5C404NLTT1G

NTMFS5C404NLTT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:168K 1
ntmfs5c404nltt1g.pdf

MOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 0.67 mW, 370 ANTMFS5C404NLTFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NTMFS5C404NLTWF - Wettable Flank Option for Enhanced0.67 mW @ 10 V40 V370 AOptical Inspection1.0 mW @ 4.

1.1. Size:116K onsemi
ntmfs5c404nlt.pdf

NTMFS5C404NLTPower MOSFET40 V, 0.75 mW, 352 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NTMFS5C404NLTWF - Wettable Flank Option for EnhancedOptical InspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

2.1. Size:74K onsemi
ntmfs5c404nl.pdf

NTMFS5C404NLPower MOSFET40 V, 0.75 mW, 339 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)0.75 mW @ 10 V

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History: 2SK3572-S | 3N141

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