NTMFS5C442NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS5C442NLT1G
   Código: 5C442L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 69 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 50 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS5C442NLT1G

NTMFS5C442NLT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:71K 1
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NTMFS5C442NLPower MOSFET40 V, 2.5 mW, 130 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)2.5 mW @ 10 V40

1.1. Size:115K onsemi
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NTMFS5C442NLTPower MOSFET40 V, 2.8 mW, 127 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com NTMFS5C442NLTWF - Wettable Flank Option for EnhancedOptical InspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Com

2.1. Size:72K onsemi
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NTMFS5C442NLPower MOSFET40 V, 2.8 mW, 121 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)2.8 mW @ 10 V

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