NTMFS5C604NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS5C604NLT1G
   Código: 5C604L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 287 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 79.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS5C604NLT1G

NTMFS5C604NLT1G Datasheet (PDF)

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ntmfs5c604nlt1g.pdf

NTMFS5C604NLPower MOSFET60 V, 1.2 mW, 287 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)1.2 mW @ 10 V60

1.1. Size:202K 1
ntmfs5c604nlt3g.pdf

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 1.2 mW, 287 ANTMFS5C604NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.2 mW @ 10 V60 V287 A1.7 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

2.1. Size:112K onsemi
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